2024年の電子展の聴衆のための指示

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549176STTH812G絵STMicroelectronics

STTH812G

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規格
  • 部品型番
    STTH812G
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    STTH812G.pdf
  • 電圧 - ピーク逆（最大）
    Standard
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    8A
  • 電圧 - ブレークダウン
    D2PAK
  • シリーズ
    -
  • RoHSステータス
    Tube
  • 逆回復時間（trrの）
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • もし、F @抵抗
    -
  • 偏光
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 動作温度 - ジャンクション
    100ns
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • 製造元の部品番号
    STTH812G
  • 拡張された説明
    Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount D2PAK
  • ダイオード構成
    8µA @ 1200V
  • 説明
    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    2.2V @ 8A
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）（ダイオード当たり）
    1200V (1.2kV)
  • Vrと、F @キャパシタンス
    175°C (Max)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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