2024年の電子展の聴衆のための指示

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4104873STTH312B-TR絵STMicroelectronics

STTH312B-TR

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規格
  • 部品型番
    STTH312B-TR
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 1.2KV 3A DPAK
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    STTH312B-TR.pdf
  • 電圧 - ピーク逆（最大）
    Standard
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    3A
  • 電圧 - ブレークダウン
    D-Pak
  • シリーズ
    -
  • RoHSステータス
    Cut Tape (CT)
  • 逆回復時間（trrの）
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • もし、F @抵抗
    -
  • 偏光
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 他の名前
    497-5764-1
  • 動作温度 - ジャンクション
    115ns
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 製造元の部品番号
    STTH312B-TR
  • 拡張された説明
    Diode Standard 1200V (1.2kV) 3A Surface Mount D-Pak
  • ダイオード構成
    10µA @ 1200V
  • 説明
    DIODE GEN PURP 1.2KV 3A DPAK
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    2V @ 3A
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）（ダイオード当たり）
    1200V (1.2kV)
  • Vrと、F @キャパシタンス
    175°C (Max)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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説明: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A DO247

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説明: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

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説明: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

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