2024年の電子展の聴衆のための指示

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5930570STS3DNE60L絵STMicroelectronics

STS3DNE60L

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規格
  • 部品型番
    STS3DNE60L
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    STS3DNE60L.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    1V @ 250µA
  • サプライヤデバイスパッケージ
    8-SO
  • シリーズ
    STripFET™
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    80 mOhm @ 1.5A, 10V
  • 電力 - 最大
    2W
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    815pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    13.5nC @ 4.5V
  • FETタイプ
    2 N-Channel (Dual)
  • FET特長
    Logic Level Gate
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    60V
  • 詳細な説明
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3A 2W Surface Mount 8-SO
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    3A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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