2024年の電子展の聴衆のための指示

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5042573STQ2HNK60ZR-AP絵STMicroelectronics

STQ2HNK60ZR-AP

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規格
  • 部品型番
    STQ2HNK60ZR-AP
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    STQ2HNK60ZR-AP.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    4.5V @ 50µA
  • Vgs（最大）
    ±30V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-92-3
  • シリーズ
    SuperMESH™
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    4.8 Ohm @ 1A, 10V
  • 電力消費（最大）
    3W (Tc)
  • パッケージング
    Tape & Box (TB)
  • パッケージ/ケース
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 他の名前
    497-12344-3
    STQ2HNK60ZRAP
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    38 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    280pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    15nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    600V
  • 詳細な説明
    N-Channel 600V 500mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    500mA (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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