2024年の電子展の聴衆のための指示

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4257803STPSC4H065B-TR絵STMicroelectronics

STPSC4H065B-TR

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規格
  • 部品型番
    STPSC4H065B-TR
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    STPSC4H065B-TR.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    1.75V @ 4A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    650V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    DPAK
  • 速度
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    0ns
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 他の名前
    497-13454-2
    STPSC4H065BTR
  • 動作温度 - ジャンクション
    -40°C ~ 175°C
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ダイオードタイプ
    Silicon Carbide Schottky
  • 詳細な説明
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 4A Surface Mount DPAK
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    40µA @ 650V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    4A
  • Vrと、F @キャパシタンス
    200pF @ 0V, 1MHz
  • ベース部品番号
    STPSC4H065

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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