2024年の電子展の聴衆のための指示

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2081249STL8P2UH7絵STMicroelectronics

STL8P2UH7

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規格
  • 部品型番
    STL8P2UH7
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT22
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    STL8P2UH7.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    1V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±8V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    PowerFlat™ (2x2)
  • シリーズ
    DeepGATE™, STripFET™ VII
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    22.5 mOhm @ 4A, 4.5V
  • 電力消費（最大）
    2.4W (Tc)
  • パッケージング
    Original-Reel®
  • パッケージ/ケース
    6-PowerWDFN
  • 他の名前
    497-14997-6
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    2390pF @ 16V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    22nC @ 4.5V
  • FETタイプ
    P-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    1.5V, 4.5V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    20V
  • 詳細な説明
    P-Channel 20V 8A (Tc) 2.4W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (2x2)
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    8A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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