2024年の電子展の聴衆のための指示

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3558127STL110NS3LLH7絵STMicroelectronics

STL110NS3LLH7

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規格
  • 部品型番
    STL110NS3LLH7
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    STL110NS3LLH7.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.3V @ 1mA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    PowerFlat™ (5x6)
  • シリーズ
    STripFET™ H7
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    3.4 mOhm @ 14A, 10V
  • 電力消費（最大）
    4W (Ta), 75W (Tc)
  • パッケージング
    Original-Reel®
  • パッケージ/ケース
    8-PowerVDFN
  • 他の名前
    497-16038-6
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    2110pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    13.7nC @ 4.5V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    4.5V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    30V
  • 詳細な説明
    N-Channel 30V 120A (Tc) 4W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    120A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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