2024年の電子展の聴衆のための指示

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1576672STGWA80H65DFB絵STMicroelectronics

STGWA80H65DFB

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規格
  • 部品型番
    STGWA80H65DFB
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    STGWA80H65DFB.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    650V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    2V @ 15V, 80A
  • 試験条件
    400V, 80A, 10 Ohm, 15V
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    84ns/280ns
  • エネルギーの切り替え
    2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-247 Long Leads
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    85ns
  • 電力 - 最大
    469W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3
  • 他の名前
    497-16007-5
    STGWA80H65DFB-ND
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Standard
  • IGBTタイプ
    Trench Field Stop
  • ゲートチャージ
    414nC
  • 詳細な説明
    IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247 Long Leads
  • 電流 - コレクタパルス（ICM）
    240A
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    120A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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STGWA60H65DFB

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説明: IGBT 650V 120A 469W TO247

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