2024年の電子展の聴衆のための指示

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2248357STGW40H65DFB-4絵STMicroelectronics

STGW40H65DFB-4

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規格
  • 部品型番
    STGW40H65DFB-4
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT
  • フリーステータス/ RoHS状態
  • 仕様書
    STGW40H65DFB-4.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    650V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    2V @ 15V, 40A
  • 試験条件
    400V, 40A, 5 Ohm, 15V
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    40ns/142ns
  • エネルギーの切り替え
    200µJ (on), 410µJ (off)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-247-4L
  • シリーズ
    HB
  • 逆回復時間（trrの）
    62ns
  • 電力 - 最大
    283W
  • パッケージ/ケース
    TO-247-4
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • メーカーの標準リードタイム
    42 Weeks
  • 入力タイプ
    Standard
  • IGBTタイプ
    Trench Field Stop
  • ゲートチャージ
    210nC
  • 詳細な説明
    IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-247-4L
  • 電流 - コレクタパルス（ICM）
    160A
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    80A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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