2024年の電子展の聴衆のための指示

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1707864STGB10NB37LZT4絵STMicroelectronics

STGB10NB37LZT4

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規格
  • 部品型番
    STGB10NB37LZT4
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT 440V 20A 125W D2PAK
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    STGB10NB37LZT4.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    440V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    1.8V @ 4.5V, 10A
  • 試験条件
    328V, 10A, 1 kOhm, 5V
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    1.3µs/8µs
  • エネルギーの切り替え
    2.4mJ (on), 5mJ (off)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    D2PAK
  • シリーズ
    PowerMESH™
  • 電力 - 最大
    125W
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 他の名前
    497-4106-2
  • 運転温度
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Standard
  • IGBTタイプ
    -
  • ゲートチャージ
    28nC
  • 詳細な説明
    IGBT 440V 20A 125W Surface Mount D2PAK
  • 電流 - コレクタパルス（ICM）
    40A
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    20A
  • ベース部品番号
    STG*10NB

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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STGAP2SCM

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STGB10H60DF

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STGB10NC60HDT4

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説明: IGBT 600V 20A 65W D2PAK

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STGB10M65DF2

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STGB15M65DF2

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説明: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

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STGB14NC60KDT4

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説明: IGBT 600V 25A 80W D2PAK

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STGAP2SM

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STGAP2DMTR

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STGB10NB40LZT4

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説明: IGBT 440V 20A 150W D2PAK

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STGB10NC60KDT4

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STGAP2SMTR

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STGB12NB60KDT4

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STGB14NC60KT4

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STGB10NC60KT4

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説明: IGBT 600V 20A 65W D2PAK

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STGB10NB37LZ

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