2024年の電子展の聴衆のための指示

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2124188STF7N60DM2絵STMicroelectronics

STF7N60DM2

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規格
  • 部品型番
    STF7N60DM2
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET
  • フリーステータス/ RoHS状態
  • 仕様書
    STF7N60DM2.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    4.75V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±25V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-220FP
  • シリーズ
    MDmesh™ DM2
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    900 mOhm @ 3A, 10V
  • 電力消費（最大）
    25W (Tc)
  • パッケージ/ケース
    TO-220-3 Full Pack
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • メーカーの標準リードタイム
    42 Weeks
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    324pF @ 100V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    7.5nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    600V
  • 詳細な説明
    N-Channel 600V 6A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    6A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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