2024年の電子展の聴衆のための指示

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2136991STD1HNC60T4絵STMicroelectronics

STD1HNC60T4

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規格
  • 部品型番
    STD1HNC60T4
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード/ RoHS非対応
  • 仕様書
    STD1HNC60T4.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    4V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±30V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    DPAK
  • シリーズ
    PowerMESH™ II
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    5 Ohm @ 1A, 10V
  • 電力消費（最大）
    50W (Tc)
  • パッケージング
    Cut Tape (CT)
  • パッケージ/ケース
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 他の名前
    497-2485-1
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    228pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    15.5nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    600V
  • 詳細な説明
    N-Channel 600V 2A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount DPAK
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    2A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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