2024年の電子展の聴衆のための指示

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4250007STB80NF55L-08-1絵STMicroelectronics

STB80NF55L-08-1

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規格
  • 部品型番
    STB80NF55L-08-1
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    STB80NF55L-08-1.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.5V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±16V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    I2PAK
  • シリーズ
    STripFET™ II
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    8 mOhm @ 40A, 10V
  • 電力消費（最大）
    300W (Tc)
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • 他の名前
    497-12542-5
    STB80NF55L-08-1-ND
    STB80NF55L081
  • 運転温度
    175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    4350pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    100nC @ 4.5V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    5V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    55V
  • 詳細な説明
    N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    80A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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STB80NF55-06T4

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STB80NF55-08-1

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