2024年の電子展の聴衆のための指示

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SPV1001N30

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規格
  • 部品型番
    SPV1001N30
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 30V 12.5A 8PQFN
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    SPV1001N30.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    850mV @ 5A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    30V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    8-PQFN (5x6)
  • 速度
    -
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Cut Tape (CT)
  • パッケージ/ケース
    8-PowerVDFN
  • 他の名前
    497-11456-1
  • 動作温度 - ジャンクション
    -45°C ~ 150°C
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ダイオードタイプ
    Standard
  • 詳細な説明
    Diode Standard 30V 12.5A Surface Mount 8-PQFN (5x6)
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    1µA @ 30V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    12.5A
  • Vrと、F @キャパシタンス
    -
  • ベース部品番号
    SPV1001N30

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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説明: DIODE GEN PURP 40V 16A D2PAK

メーカー: STMicroelectronics
在庫あり
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メーカー: STMicroelectronics
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SPV1001N40

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説明: DIODE GEN PURP 40V 12.5A 8PQFN

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在庫あり
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SPV-300-48

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