2024年の電子展の聴衆のための指示

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24548SGSD200絵STMicroelectronics

SGSD200

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規格
  • 部品型番
    SGSD200
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PNP DARL 80V 25A TO-247
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    SGSD200.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    80V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    3.5V @ 80mA, 20A
  • トランジスタ型式
    PNP - Darlington
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-247-3
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    130W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3
  • 他の名前
    497-7422-5
    SGSD200-ND
  • 運転温度
    -
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    -
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 25A 130W Through Hole TO-247-3
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    500 @ 10A, 3V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    500µA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    25A

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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