2024年の電子展の聴衆のための指示

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SCTWA50N120

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規格
  • 部品型番
    SCTWA50N120
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    SCTWA50N120.pdf
  • ECADモデル
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    3V @ 1mA
  • Vgs（最大）
    +25V, -10V
  • 技術
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    HiP247™
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    69 mOhm @ 40A, 20V
  • 電力消費（最大）
    318W (Tc)
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3
  • 運転温度
    -55°C ~ 200°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    1900pF @ 400V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    122nC @ 20V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    20V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    1200V
  • 詳細な説明
    N-Channel 1200V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    65A (Tc)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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