2024年の電子展の聴衆のための指示

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5314057BU508AFI絵STMicroelectronics

BU508AFI

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規格
  • 部品型番
    BU508AFI
  • メーカー/ブランド
    STMicroelectronics
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS NPN 700V 8A ISOWATT218
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    BU508AFI.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    700V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    1V @ 2A, 4.5A
  • トランジスタ型式
    NPN
  • サプライヤデバイスパッケージ
    ISOWATT-218FX
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    50W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    ISOWATT-218-3
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    7MHz
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 700V 8A 7MHz 50W Through Hole ISOWATT-218FX
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    -
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    1mA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    8A
  • ベース部品番号
    BU508

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

09/27/2024
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