2024年の電子展の聴衆のための指示

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UPA2820T1S-E2-AT

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規格
  • 部品型番
    UPA2820T1S-E2-AT
  • メーカー/ブランド
    Renesas Electronics Corporation
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 30V 8HVSON
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    UPA2820T1S-E2-AT.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    -
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    5.3 mOhm @ 22A, 10V
  • 電力消費（最大）
    1.5W (Ta), 16W (Tc)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    8-PowerWDFN
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    2330pF @ 10V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    50nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    4.5V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    30V
  • 詳細な説明
    N-Channel 30V 22A (Tc) 1.5W (Ta), 16W (Tc) Surface Mount
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    22A (Tc)

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説明: MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON

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説明: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

メーカー: CEL (California Eastern Laboratories)
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UPA2812T1L-E2-AT

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説明: MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON

メーカー: Renesas Electronics America
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説明: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

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説明: RF DUAL TRANSISTORS NPN SOT-363

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