2024年の電子展の聴衆のための指示

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1423190R1WV6416RSA-5SI#B0絵Renesas Electronics America

R1WV6416RSA-5SI#B0

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規格
  • 部品型番
    R1WV6416RSA-5SI#B0
  • メーカー/ブランド
    Renesas Electronics Corporation
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC SRAM 32MBIT 48TSOP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    R1WV6416RSA-5SI#B0.pdf
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    55ns
  • 電源電圧 -
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 技術
    SRAM
  • サプライヤデバイスパッケージ
    48-TSOP I
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 運転温度
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    2 (1 Year)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    SRAM
  • メーカーの標準リードタイム
    18 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    SRAM Memory IC 64Mb (8M x 8, 4M x 16) Parallel 55ns 48-TSOP I
  • アクセス時間
    55ns

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93C66AT-I/SN

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M95080-RMC6TG

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RFQ
R1WV6416RSD-5SI#B0

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説明: 64M ADV LPSRAM, STACKED, UTSOP,

メーカー: Renesas Electronics America
在庫あり
RFQ
AS4C8M32S-7TCNTR

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説明: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

メーカー: Alliance Memory, Inc.
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RFQ
R1WV3216RBG-7SR#B0

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説明: IC SRAM 32M PARALLEL 48FBGA

メーカー: Renesas Electronics America
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RFQ
71V67803S150BG

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説明: IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

メーカー: IDT (Integrated Device Technology)
在庫あり
RFQ
R1WV6416RBG-5SI#B0

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説明: 64M MCP(2X32M) ADV.SRAM 3V FBGA

メーカー: Renesas Electronics America
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MT40A2G4SA-062E:E

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R1WV6416RSD-5SI#S0

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説明: 64M ADV LPSRAM, STACKED, UTSOP,

メーカー: Renesas Electronics America
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R1WV6416RBG-5SI#S0

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説明: 64M MCP(2X32M) ADV.SRAM 3V FBGA

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7026L25JI8

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R1WV6416RSA-5SI#S0

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説明: 64M ADV LPSRAM, STACKED, TSOP, P

メーカー: Renesas Electronics America
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R1WV3216RBG-7SI#B0

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説明: IC SRAM 32M PARALLEL 48BGA

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R1WV6416RSA-7SR#B0

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説明: IC SRAM 64M PARALLEL 48TSOP

メーカー: Renesas Electronics America
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