2024年の電子展の聴衆のための指示

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6129734R1LV0216BSB-5SI#B0絵Renesas Electronics America

R1LV0216BSB-5SI#B0

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規格
  • 部品型番
    R1LV0216BSB-5SI#B0
  • メーカー/ブランド
    Renesas Electronics Corporation
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    R1LV0216BSB-5SI#B0.pdf
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    55ns
  • 電源電圧 -
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 技術
    SRAM
  • サプライヤデバイスパッケージ
    44-TSOP II
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 運転温度
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    2Mb (128K x 16)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    SRAM
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    SRAM Memory IC 2Mb (128K x 16) Parallel 55ns 44-TSOP II
  • ベース部品番号
    R1LV0216B
  • アクセス時間
    55ns

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R1LV0108ESN-5SR#B0

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在庫あり
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R1LV0808ASB-5SI#S0

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説明: IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

メーカー: Renesas Electronics America
在庫あり
RFQ
R1LV0808ASB-5SI#B0

R1LV0808ASB-5SI#B0

説明: IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

メーカー: Renesas Electronics America
在庫あり
RFQ
R1LV0808ASB-7SI#S0

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説明: IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

メーカー: Renesas Electronics America
在庫あり
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R1LV0216BSB-5SI#S0

R1LV0216BSB-5SI#S0

説明: IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

メーカー: Renesas Electronics America
在庫あり
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R1LV0208BSA-5SI#S1

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在庫あり
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R1LV0216BSB-5SI#B1

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説明: IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP

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R1LV0408DSB-5SI#B0

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在庫あり
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メーカー: Renesas Electronics America
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R1LV0108ESN-7SI#S0

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RFQ
R1LV0108ESN-7SI#B0

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