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R1LV0108ESF-5SI#B1

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規格
  • 部品型番
    R1LV0108ESF-5SI#B1
  • メーカー/ブランド
    Renesas Electronics Corporation
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    R1LV0108ESF-5SI#B1.pdf
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    55ns
  • 電源電圧 -
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 技術
    SRAM
  • サプライヤデバイスパッケージ
    32-TSOP (8x20)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 運転温度
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    1Mb (128K x 8)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    SRAM
  • メーカーの標準リードタイム
    18 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    SRAM Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 55ns 32-TSOP (8x20)
  • アクセス時間
    55ns

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在庫あり
RFQ
R1LV0108ESF-7SR#B0

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メーカー: Renesas Electronics America
在庫あり
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R1LV0108ESF-7SR#S0

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説明: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP

メーカー: Renesas Electronics America
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R1LP5256ESP-5SI#B0

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R1LV0108ESA-5SI#S0

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説明: IC SRAM 1M PARALLEL 32STSOP

メーカー: Renesas Electronics America
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R1LV0108ESF-5SI#S0

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説明: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP

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R1LV0108ESA-5SI#B1

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R1LV0108ESF-5SR#B0

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説明: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP

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R1LV0108ESA-5SI#S1

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メーカー: Renesas Electronics America
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R1LV0108ESF-5SI#B0

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説明: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP

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