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3849514NP110N055PUG-E1-AY絵Renesas Electronics America

NP110N055PUG-E1-AY

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オンライン問い合わせ
規格
  • 部品型番
    NP110N055PUG-E1-AY
  • メーカー/ブランド
    Renesas Electronics Corporation
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    NP110N055PUG-E1-AY.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    4V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-263
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    2.4 mOhm @ 55A, 10V
  • 電力消費（最大）
    1.8W (Ta), 288W (Tc)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 運転温度
    175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    25700pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    380nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    55V
  • 詳細な説明
    N-Channel 55V 110A (Tc) 1.8W (Ta), 288W (Tc) Surface Mount TO-263
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    110A (Tc)

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メーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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説明: THYRISTOR 120V 50A SMB

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NP110N04PUK-E1-AY

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説明: MOSFET N-CH 40V 110A TO-263

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在庫あり
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NP1111510000G

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説明: 1000 TB SPR CLA 180D B/T

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説明: THYRISTOR 90V 100A SMB

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NP110N055PUK-E1-AY

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説明: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263

メーカー: Renesas Electronics America
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NP110N03PUG-E1-AY

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説明: THYRISTOR 120V 100A SMB

メーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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説明: MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263

メーカー: Renesas Electronics America
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説明: TRANSISTOR

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説明: TRANSISTOR

メーカー: Renesas Electronics America
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メーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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メーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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NP1211510000G

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説明: 1000 TB SPR CLA 180D B/T

メーカー: Anytek (Amphenol Anytek)
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説明: THYRISTOR 90V 250A SMB

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NP1300SBMCT3G

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説明: THYRISTOR 120V 250A SMB

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