2024年の電子展の聴衆のための指示

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10952542SK2221-E絵Renesas Electronics America

2SK2221-E

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規格
  • 部品型番
    2SK2221-E
  • メーカー/ブランド
    Renesas Electronics Corporation
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    2SK2221-E.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    -
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-3P
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    -
  • 電力消費（最大）
    100W (Tc)
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-3P-3, SC-65-3
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    600pF @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    -
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    200V
  • 詳細な説明
    N-Channel 200V 8A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
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