2024年の電子展の聴衆のための指示

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2SJ649-AZ

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規格
  • 部品型番
    2SJ649-AZ
  • メーカー/ブランド
    Renesas Electronics Corporation
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET P-CH 60V 20A TO-220
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    2SJ649-AZ.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    -
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-220 Isolated Tab
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    48 mOhm @ 10A, 10V
  • 電力消費（最大）
    2W (Ta), 25W (Tc)
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    TO-220-3 Isolated Tab
  • 運転温度
    150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    16 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    1900pF @ 10V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    38nC @ 10V
  • FETタイプ
    P-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    4V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    60V
  • 詳細な説明
    P-Channel 60V 20A (Tc) 2W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    20A (Tc)

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