2024年の電子展の聴衆のための指示

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PMXB360ENEAZ

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規格
  • 部品型番
    PMXB360ENEAZ
  • メーカー/ブランド
    Nexperia
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    PMXB360ENEAZ.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.7V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    DFN1010D-3
  • シリーズ
    -
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    450 mOhm @ 1.1A, 10V
  • 電力消費（最大）
    400mW (Ta), 6.25W (Tc)
  • パッケージング
    Original-Reel®
  • パッケージ/ケース
    3-XDFN Exposed Pad
  • 他の名前
    1727-1474-6
    568-10945-6
    568-10945-6-ND
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    26 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    130pF @ 40V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    4.5nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    4.5V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    80V
  • 詳細な説明
    N-Channel 80V 1.1A (Ta) 400mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    1.1A (Ta)

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10/9/2024
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