2024年の電子展の聴衆のための指示

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5436570PH8230E,115絵Nexperia

PH8230E,115

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規格
  • 部品型番
    PH8230E,115
  • メーカー/ブランド
    Nexperia
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    PH8230E,115.pdf
  • ECADモデル
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.5V @ 1mA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    LFPAK56, Power-SO8
  • シリーズ
    TrenchMOS™
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    8.2 mOhm @ 10A, 10V
  • 電力消費（最大）
    62.5W (Tc)
  • パッケージング
    Cut Tape (CT)
  • パッケージ/ケース
    SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
  • 他の名前
    1727-3123-1
    568-2350-1
    568-2350-1-ND
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    1400pF @ 10V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    14nC @ 5V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    4.5V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    30V
  • 詳細な説明
    N-Channel 30V 67A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    67A (Tc)

New ICs From Rohm, Toshiba, and Nexperia Target Automotive ...

10/9/2024
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「PH8230E,115」関連製品は次のとおりです。
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説明: MOSFET

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SQD15N06-42L_GE3

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SIR696DP-T1-GE3

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