2024年の電子展の聴衆のための指示

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PDTA114ES,126

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規格
  • 部品型番
    PDTA114ES,126
  • メーカー/ブランド
    Freescale / NXP Semiconductors
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    PDTA114ES,126.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    50V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    150mV @ 500µA, 10mA
  • トランジスタ型式
    PNP - Pre-Biased
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-92-3
  • シリーズ
    -
  • 抵抗器ベース（R2）
    10 kOhms
  • 抵抗器 - ベース（R1）
    10 kOhms
  • 電力 - 最大
    500mW
  • パッケージング
    Tape & Box (TB)
  • パッケージ/ケース
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 他の名前
    934047380126
    PDTA114ES AMO
    PDTA114ES AMO-ND
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    30 @ 5mA, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    1µA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    100mA
  • ベース部品番号
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