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2195976BUK9E1R6-30E,127絵NXP Semiconductors / Freescale

BUK9E1R6-30E,127

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規格
  • 部品型番
    BUK9E1R6-30E,127
  • メーカー/ブランド
    Freescale / NXP Semiconductors
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • ECADモデル
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.1V @ 1mA
  • Vgs（最大）
    ±10V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    I2PAK
  • シリーズ
    TrenchMOS™
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    1.4 mOhm @ 25A, 10V
  • 電力消費（最大）
    349W (Tc)
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • 他の名前
    568-9869-5
    934066508127
    BUK9E1R630E127
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    16150pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    113nC @ 5V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    5V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    30V
  • 詳細な説明
    N-Channel 30V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
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