2024年の電子展の聴衆のための指示

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1861399APT58F50J絵Microsemi

APT58F50J

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規格
  • 部品型番
    APT58F50J
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    APT58F50J.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    5V @ 2.5mA
  • Vgs（最大）
    ±30V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    ISOTOP®
  • シリーズ
    POWER MOS 8™
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    65 mOhm @ 42A, 10V
  • 電力消費（最大）
    540W (Tc)
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    SOT-227-4, miniBLOC
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Chassis Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    13500pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    340nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    500V
  • 詳細な説明
    N-Channel 500V 58A (Tc) 540W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    58A (Tc)

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説明: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

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説明: MOSFET N-CH 500V 56A TO-264

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説明: MOSFET N-CH 700V TO247

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