2024年の電子展の聴衆のための指示

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2N3636

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規格
  • 部品型番
    2N3636
  • メーカー/ブランド
    Microsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PNP 175V 1A
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード/ RoHS非対応
  • 仕様書
    2N3636.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    175V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    600mV @ 5mA, 50mA
  • トランジスタ型式
    PNP
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-39
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    1W
  • パッケージング
    Bulk
  • パッケージ/ケース
    TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • 他の名前
    1086-20879
    1086-20879-MIL
  • 運転温度
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    12 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 周波数 - トランジション
    -
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 175V 1A 1W Through Hole TO-39
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    50 @ 50mA, 10V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    10µA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    1A

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