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MT49H32M18BM-25E:B TR

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規格
  • 部品型番
    MT49H32M18BM-25E:B TR
  • メーカー/ブランド
    Micron Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    MT49H32M18BM-25E:B TR.pdf
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    -
  • 電源電圧 -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • 技術
    DRAM
  • サプライヤデバイスパッケージ
    144-µBGA (18.5x11)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    144-TFBGA
  • 他の名前
    MT49H32M18BM-25E:B TR-ND
    MT49H32M18BM-25E:BTR
  • 運転温度
    0°C ~ 95°C (TC)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    576Mb (32M x 18)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    DRAM
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    DRAM Memory IC 576Mb (32M x 18) Parallel 400MHz 15ns 144-µBGA (18.5x11)
  • クロック周波数
    400MHz
  • ベース部品番号
    MT49H32M18
  • アクセス時間
    15ns

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