2024年の電子展の聴衆のための指示

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MT46V128M4P-5B:J TR

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規格
  • 部品型番
    MT46V128M4P-5B:J TR
  • メーカー/ブランド
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    15ns
  • 電源電圧 -
    2.5 V ~ 2.7 V
  • 技術
    SDRAM - DDR
  • サプライヤデバイスパッケージ
    66-TSOP
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 他の名前
    MT46V128M4P-5B:J TR-ND
    MT46V128M4P-5B:JTR
  • 運転温度
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル(MSL)
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Volatile
  • 記憶容量
    512Mb (128M x 4)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    DRAM
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP
  • クロック周波数
    200MHz
  • ベース部品番号
    MT46V128M4
  • アクセス時間
    700ps
MT46V128M4FN-6:F TR

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説明: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

メーカー: Micron Technology
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MT46V128M4FN-75Z:D

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説明: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

メーカー: Micron Technology
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MT46V128M4P-6T:D TR

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説明: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

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MT46V128M4TG-5B:D TR

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MT46V128M4P-5B:F TR

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MT46V128M4P-5B:D TR

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MT46V128M4P-75:D

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