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MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR

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規格
  • 部品型番
    MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR
  • メーカー/ブランド
    Micron Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    -
  • 電源電圧 -
    2.7 V ~ 3.6 V
  • 技術
    FLASH - NAND
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • 他の名前
    MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR-ND
    MT29F1G08ABAEAWP-AATX:ETR
  • 運転温度
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • 水分感受性レベル（MSL）
    3 (168 Hours)
  • メモリタイプ
    Non-Volatile
  • 記憶容量
    1Gb (128M x 8)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    FLASH
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel

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MT29F1G08ABAEAWP:E

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説明: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

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MT29F1G08ABAEAWP:E TR

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MT29F1G08ABAEAH4-IT:E TR

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メーカー: Micron Technology
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説明: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

メーカー: Micron Technology
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説明: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

メーカー: Micron Technology
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説明: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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説明: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

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説明: IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

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説明: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

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