2024年の電子展の聴衆のための指示

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CSD19506KTT

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規格
  • 部品型番
    CSD19506KTT
  • メーカー/ブランド
    Luminary Micro/Texas Instruments
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
  • フリーステータス/ RoHS状態
    リード線付き/ RoHS準拠
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    3.2V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    DDPAK/TO-263-3
  • シリーズ
    NexFET™
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    2.3 mOhm @ 100A, 10V
  • 電力消費（最大）
    375W (Tc)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
  • 他の名前
    296-49604-2
    CSD19506KTT-ND
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    2 (1 Year)
  • メーカーの標準リードタイム
    35 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Contains lead / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    12200pF @ 40V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    156nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    6V, 10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    80V
  • 詳細な説明
    N-Channel 80V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
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