2024年の電子展の聴衆のための指示

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BQ4014MB-120

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規格
  • 部品型番
    BQ4014MB-120
  • メーカー/ブランド
    Luminary Micro/Texas Instruments
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC NVSRAM 2M PARALLEL 32DIP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    120ns
  • 電源電圧 -
    4.75 V ~ 5.5 V
  • 技術
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    32-DIP Module (18.42x52.96)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • 運転温度
    0°C ~ 70°C (TA)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メモリタイプ
    Non-Volatile
  • 記憶容量
    2Mb (256K x 8)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    NVSRAM
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 2Mb (256K x 8) Parallel 120ns 32-DIP Module (18.42x52.96)
  • ベース部品番号
    BQ4014
  • アクセス時間
    120ns

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