2024年の電子展の聴衆のための指示

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5001545

BQ4010YMA-85N

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規格
  • 部品型番
    BQ4010YMA-85N
  • メーカー/ブランド
    Luminary Micro/Texas Instruments
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IC NVSRAM 64K PARALLEL 28DIP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    85ns
  • 電源電圧 -
    4.5 V ~ 5.5 V
  • 技術
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    28-DIP Module (18.42x37.72)
  • シリーズ
    -
  • パッケージング
    Tray
  • パッケージ/ケース
    28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
  • 運転温度
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メモリタイプ
    Non-Volatile
  • 記憶容量
    64Kb (8K x 8)
  • メモリインタフェース
    Parallel
  • メモリ形式
    NVSRAM
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 85ns 28-DIP Module (18.42x37.72)
  • ベース部品番号
    BQ4010
  • アクセス時間
    85ns

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