2024年の電子展の聴衆のための指示

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4514310RF071LAM4STR絵LAPIS Semiconductor

RF071LAM4STR

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規格
  • 部品型番
    RF071LAM4STR
  • メーカー/ブランド
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE GEN PURP 400V 1A PMDTM
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
  • 電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@
    1.25V @ 700mA
  • 電圧 - 逆(VR)(最大)
    400V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    PMDTM
  • 速度
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間(trrの)
    25ns
  • パッケージング
    Cut Tape (CT)
  • パッケージ/ケース
    SOD-128
  • 他の名前
    RF071LAM4STRCT
  • 動作温度 - ジャンクション
    150°C (Max)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル(MSL)
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    12 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ダイオードタイプ
    Standard
  • 詳細な説明
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount PMDTM
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    10µA @ 400V
  • 電流 - 平均整流(イオ​​)
    1A
  • Vrと、F @キャパシタンス
    -
RF064PJ914CS

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メーカー: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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RF064PJ754CS

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メーカー: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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RF071MM2STR

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メーカー: LAPIS Semiconductor
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RF064PJ913CS

RF064PJ913CS

説明: RESISTOR ARRAY FLAT TERMINAL 0

メーカー: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
在庫あり
RF071M2STR

RF071M2STR

説明: DIODE GEN PURP 200V 700MA PMDU

メーカー: LAPIS Semiconductor
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RF08L6STE25

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説明: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS

メーカー: LAPIS Semiconductor
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RF081LAM2STR

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説明: DIODE GEN PURP 200V 1.1A PMDTM

メーカー: LAPIS Semiconductor
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RF064PJ821CS

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メーカー: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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RF073M2STR

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説明: DIODE GEN PURP 200V 700MA PMDU

メーカー: LAPIS Semiconductor
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RF064PJ823CS

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メーカー: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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RF064PJ822CS

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メーカー: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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RF064PJ820CS

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RF081MM2STR

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説明: DIODE GEN PURP 200V 800MA PMDU

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RF081L2STE25

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説明: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS

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RF064PJ824CS

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メーカー: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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RF064PJ912CS

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メーカー: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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RF081M2STR

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説明: DIODE GEN PURP 200V 800MA PMDU

メーカー: LAPIS Semiconductor
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RF071L4STE25

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説明: DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS

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RF064PJ911CS

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メーカー: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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RF064PJ910CS

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