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5586563MTZJT-779.1B絵LAPIS Semiconductor

MTZJT-779.1B

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規格
  • 部品型番
    MTZJT-779.1B
  • メーカー/ブランド
    LAPIS Technology
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    MTZJT-779.1B.pdf
  • 電圧 - ツェナー（公称値）（Vzは）
    9.1V
  • 公差
    ±3%
  • サプライヤデバイスパッケージ
    MSD
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    500mW
  • パッケージング
    Tape & Box (TB)
  • パッケージ/ケース
    DO-204AG, DO-34, Axial
  • 運転温度
    -
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • インピーダンス（最大）（ZZT）
    20 Ohms
  • 詳細な説明
    Zener Diode 9.1V 500mW ±3% Through Hole MSD
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
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