2024年の電子展の聴衆のための指示

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6098548SPB18P06PGATMA1絵International Rectifier (Infineon Technologies)

SPB18P06PGATMA1

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規格
  • 部品型番
    SPB18P06PGATMA1
  • メーカー/ブランド
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    SPB18P06PGATMA1.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    4V @ 1mA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    D²PAK (TO-263AB)
  • シリーズ
    SIPMOS®
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    130 mOhm @ 13.2A, 10V
  • 電力消費（最大）
    81.1W (Ta)
  • パッケージング
    Cut Tape (CT)
  • パッケージ/ケース
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 他の名前
    SPB18P06PGATMA1CT
    SPB18P06PGINCT
    SPB18P06PGINCT-ND
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    860pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    28nC @ 10V
  • FETタイプ
    P-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    60V
  • 詳細な説明
    P-Channel 60V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
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