2024年の電子展の聴衆のための指示

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3429229SQM100N04-2M7_GE3絵Electro-Films (EFI) / Vishay

SQM100N04-2M7_GE3

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規格
  • 部品型番
    SQM100N04-2M7_GE3
  • メーカー/ブランド
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    SQM100N04-2M7_GE3.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    3.5V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-263 (D²Pak)
  • シリーズ
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    2.7 mOhm @ 30A, 10V
  • 電力消費（最大）
    157W (Tc)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 他の名前
    SQM100N04-2M7-GE3
    SQM100N04-2M7-GE3-ND
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    7910pF @ 25V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    145nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    40V
  • 詳細な説明
    N-Channel 40V 100A (Tc) 157W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    100A (Tc)

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説明: RES WW 10W 5% TH

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説明: MOSFET N-CH 20V 100A TO263

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説明: 1.25IN 10-11 GAUGE 5/16-18 THREA

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説明: 1.375IN 16-18 GAUGE 3/8-16 THREA

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説明: MOSFET N-CHAN 250V TO-263

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SQM10AJB-0R1

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説明: RES WW 10W 5% TH

メーカー: Yageo
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