2024年の電子展の聴衆のための指示

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SISH106DN-T1-GE3

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規格
  • 部品型番
    SISH106DN-T1-GE3
  • メーカー/ブランド
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    SISH106DN-T1-GE3.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    1.5V @ 250µA
  • Vgs（最大）
    ±12V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    PowerPAK® 1212-8SH
  • シリーズ
    TrenchFET®
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V
  • 電力消費（最大）
    1.5W (Ta)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    PowerPAK® 1212-8SH
  • 他の名前
    SISH106DN-T1-GE3TR
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    42 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    27nC @ 4.5V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    2.5V, 4.5V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    20V
  • 詳細な説明
    N-Channel 20V 12.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
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