2024年の電子展の聴衆のための指示

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EPC2110ENGRT

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規格
  • 部品型番
    EPC2110ENGRT
  • メーカー/ブランド
    EPC
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    EPC2110ENGRT.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    2.5V @ 700µA
  • サプライヤデバイスパッケージ
    Die
  • シリーズ
    eGaN®
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    60 mOhm @ 4A, 5V
  • 電力 - 最大
    -
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    Die
  • 他の名前
    917-EPC2110ENGRTR
    EPC2110ENGR
  • 運転温度
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    16 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    80pF @ 60V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    0.8nC @ 5V
  • FETタイプ
    2 N-Channel (Dual) Common Source
  • FET特長
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    120V
  • 詳細な説明
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 120V 3.4A Surface Mount Die
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    3.4A

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EPC2LC20

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EPC2110

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EPC2815

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説明: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

メーカー: EPC
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在庫あり
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メーカー: EPC
在庫あり
RFQ
EPC2105

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説明: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

メーカー: EPC
在庫あり
RFQ
EPC2107

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説明: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

メーカー: EPC
在庫あり
RFQ
EPC2105ENG

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説明: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

メーカー: EPC
在庫あり
RFQ
EPC2107ENGRT

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説明: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

メーカー: EPC
在庫あり
RFQ
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説明: MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

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説明: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

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EPC2106ENGRT

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説明: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

メーカー: EPC
在庫あり
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EPC2202

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説明: GANFET N-CH 80V 18A DIE

メーカー: EPC
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説明: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

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説明: GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR

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EPC2105ENGRT

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説明: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

メーカー: EPC
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EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

説明: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

メーカー: EPC
在庫あり
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