2024年の電子展の聴衆のための指示

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6432473ZXTDE4M832TA絵Diodes Incorporated

ZXTDE4M832TA

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規格
  • 部品型番
    ZXTDE4M832TA
  • メーカー/ブランド
    Diodes Incorporated
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS NPN/PNP 80V/70V 8MLP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    ZXTDE4M832TA.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    80V, 70V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    325mV @ 300mA, 3.5A / 260mV @ 200mA, 1.5A
  • トランジスタ型式
    NPN, PNP
  • サプライヤデバイスパッケージ
    8-MLP (3x2)
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    1W
  • パッケージング
    Cut Tape (CT)
  • パッケージ/ケース
    8-VDFN Exposed Pad
  • 他の名前
    ZXTDE4M832TACT
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    160MHz, 180MHz
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 80V, 70V 3.5A, 2.5A 160MHz, 180MHz 1W Surface Mount 8-MLP (3x2)
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    25nA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    3.5A, 2.5A
  • ベース部品番号
    ZXTDE4M832

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