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3987632NSBA123EF3T5G絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBA123EF3T5G

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規格
  • 部品型番
    NSBA123EF3T5G
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS PREBIAS DUAL PNP
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    NSBA123EF3T5G.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    50V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    250mV @ 5mA, 10mA
  • トランジスタ型式
    PNP - Pre-Biased
  • サプライヤデバイスパッケージ
    SOT-1123
  • シリーズ
    -
  • 抵抗器ベース（R2）
    2.2 kOhms
  • 抵抗器 - ベース（R1）
    2.2 kOhms
  • 電力 - 最大
    254mW
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    SOT-1123
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    13 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 詳細な説明
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    8 @ 5mA, 10V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    500nA
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    100mA

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