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FJP5200RTU

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規格
  • 部品型番
    FJP5200RTU
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS NPN 250V 17A TO-220AB
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    1.FJP5200RTU.pdf
    2.FJP5200RTU.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    250V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    3V @ 800mA, 8A
  • トランジスタ型式
    NPN
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-220
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    80W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-220-3
  • 運転温度
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • メーカーの標準リードタイム
    13 Weeks
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    30MHz
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 17A 30MHz 80W Through Hole TO-220
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    55 @ 1A, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    5µA (ICBO)
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    17A

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