2024年の電子展の聴衆のための指示

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6845440FJE5304DTU絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FJE5304DTU

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規格
  • 部品型番
    FJE5304DTU
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    TRANS NPN 400V 4A TO-126
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    FJE5304DTU.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    400V
  • IB、IC @ Vce飽和（最大）
    1.5V @ 500mA, 2.5A
  • トランジスタ型式
    NPN
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-126-3
  • シリーズ
    -
  • 電力 - 最大
    30W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-225AA, TO-126-3
  • 運転温度
    -
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 周波数 - トランジション
    -
  • 詳細な説明
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 4A 30W Through Hole TO-126-3
  • Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）
    8 @ 2A, 5V
  • 電流 - コレクタ遮断（最大）
    100µA
  • 電流 - コレクタ（Ic）（Max）
    4A

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BUB323ZT4

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説明: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK

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FJE3303H2

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メーカー: Diodes Incorporated
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