2024年の電子展の聴衆のための指示

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6383302FGA70N33BTDTU絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGA70N33BTDTU

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規格
  • 部品型番
    FGA70N33BTDTU
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    IGBT 330V 149W TO3P
  • フリーステータス/ RoHS状態
    鉛フリー/ RoHS準拠
  • 仕様書
    FGA70N33BTDTU.pdf
  • 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）
    330V
  • VGE、Icを@ VCE（上）（最大）
    1.7V @ 15V, 70A
  • 試験条件
    -
  • Td（オン/オフ）@ 25℃
    -
  • エネルギーの切り替え
    -
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-3P
  • シリーズ
    -
  • 逆回復時間（trrの）
    23ns
  • 電力 - 最大
    149W
  • パッケージング
    Tube
  • パッケージ/ケース
    TO-3P-3, SC-65-3
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス/ RoHSステータス
    Lead free / RoHS Compliant
  • 入力タイプ
    Standard
  • IGBTタイプ
    Trench
  • ゲートチャージ
    49nC
  • 詳細な説明
    IGBT Trench 330V 149W Through Hole TO-3P
  • 電流 - コレクタパルス（ICM）
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FGA50N60LS

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FGA60N60UFDTU

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RFQ
FGA60N65SMD

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FGA6530WDF

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FGAF40S65AQ

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FGA50T65SHD

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FGA6560WDF

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FGA90N30DTU

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FGAF40N60UFDTU

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FGA50S110P

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FGA70N30TDTU

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FGAF20N60SMD

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説明: IGBT 600V 40A 62.5W TO-3PF

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FGA90N33ATDTU

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