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FFSH3065B-F085

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規格
  • 部品型番
    FFSH3065B-F085
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    650V 30A SIC SBD GEN1.5
  • フリーステータス/ RoHS状態
  • 仕様書
    FFSH3065B-F085.pdf
  • 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@
    1.7V @ 30A
  • 電圧 - 逆（VR）（最大）
    650V
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-247-2
  • 速度
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • シリーズ
    Automotive, AEC-Q101
  • 逆回復時間（trrの）
    0ns
  • パッケージ/ケース
    TO-247-2
  • 動作温度 - ジャンクション
    -55°C ~ 175°C
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • メーカーの標準リードタイム
    39 Weeks
  • ダイオードタイプ
    Silicon Carbide Schottky
  • 詳細な説明
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 37A (DC) Through Hole TO-247-2
  • 電流 - 漏れ@ Vrとリバース
    40µA @ 650V
  • 電流 - 平均整流（イオ​​）
    37A (DC)
  • Vrと、F @キャパシタンス
    1260pF @ 1V, 100kHz

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