2024年の電子展の聴衆のための指示

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FDP4D5N10C

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規格
  • 部品型番
    FDP4D5N10C
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    FET ENGR DEV-NOT REL
  • フリーステータス/ RoHS状態
  • 仕様書
    FDP4D5N10C.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    4V @ 310µA
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    TO-220-3
  • シリーズ
    PowerTrench®
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    4.5 mOhm @ 100A, 10V
  • 電力消費（最大）
    2.4W (Ta), 150W (Tc)
  • パッケージ/ケース
    TO-220-3
  • 運転温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Through Hole
  • メーカーの標準リードタイム
    32 Weeks
  • 鉛フリーステータス
    Lead free
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    5065pF @ 50V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    68nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    100V
  • 詳細な説明
    N-Channel 100V 128A (Tc) 2.4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    128A (Tc)

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