2024年の電子展の聴衆のための指示

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1512213FCD360N65S3R0絵AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCD360N65S3R0

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規格
  • 部品型番
    FCD360N65S3R0
  • メーカー/ブランド
    AMI Semiconductor/onsemi
  • 在庫数量
    在庫あり
  • 説明
    SUPERFET3 650V DPAK
  • フリーステータス/ RoHS状態
  • 仕様書
    FCD360N65S3R0.pdf
  • 同上@ VGS（TH）（最大）
    4.5V @ 1mA
  • Vgs（最大）
    ±30V
  • 技術
    MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤデバイスパッケージ
    D-PAK (TO-252)
  • シリーズ
    SuperFET® III
  • 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）
    360 mOhm @ 5A, 10V
  • 電力消費（最大）
    83W (Tc)
  • パッケージング
    Tape & Reel (TR)
  • パッケージ/ケース
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 他の名前
    FCD360N65S3R0-ND
    FCD360N65S3R0OSTR
  • 運転温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 装着タイプ
    Surface Mount
  • 水分感受性レベル（MSL）
    1 (Unlimited)
  • 鉛フリーステータス
    Lead free
  • 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds
    730pF @ 400V
  • ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs
    18nC @ 10V
  • FETタイプ
    N-Channel
  • FET特長
    -
  • 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
    10V
  • ソース電圧（VDSS）にドレイン
    650V
  • 詳細な説明
    N-Channel 650V 10A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
  • 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）
    10A (Tc)

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FCD121250TP

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FCD5N60-F085

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FCD3400N80Z

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説明: MOSFET N-CH 800V 2A D2PAK

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FCD260N65S3

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FCD4N60TM

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説明: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

メーカー: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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説明: MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

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説明: FUSE BOARD MOUNT 5A 32VDC 1206

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FCD600N65S3R0

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説明: SUPERFET3 650V DPAK PKG

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FCD3400N80Z

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FCD5N60TM-WS

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